ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3492R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N3492R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N3492R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 35 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-21 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-208AA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Press Fit | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N3492R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3492R | 1N3494 | 1N3492R | 1N3493 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Solid State Inc. |
| ประเภทการติดตั้ง | Press Fit | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 100 V | 1 mA @ 300 V | 1 mA @ 100 V | 1 mA @ 200 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 300 V | 100 V | 200 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-21 | Press Fit | Press Fit | Press Fit |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-208AA | PRESS FIT | PRESS FIT | PRESS FIT |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 35 A | 1.7 V @ 57 A | 1.7 V @ 57 A | 1.7 V @ 57 A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | 25A | 25A | 25A |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3492R PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N3492R - Microchip Technology
1N3494Solid State Inc.DIODE GP 300V 25A PRESS FIT1N3492RSolid State Inc.DIODE GP REV 100V 25A PRESS FIT1N3493Solid State Inc.DIODE GP 200V 25A PRESS FIT1N3350BSolid State Inc.DIODE ZENER 200V 50W DO5
1N3492Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 35A DO21
1N3350RASolid State Inc.DO5 50 WATT ZENER DIODES1N3350RBMicrochip TechnologyDIODE ZENER 200V 50W DO51N3493RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 200V 35A DO211N3491Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 25A PRESS FIT1N3492Solid State Inc.DIODE GP 100V 25A PRESS FIT1N3494RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 300V 35A DO211N3350RBSolid State Inc.DO5 50 WATT ZENER DIODES1N3494RSolid State Inc.DIODE GP REV 300V 25A PRESS FIT1N3350RSolid State Inc.DO5 50 WATT ZENER DIODES1N3491Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 35A DO211N3493RSolid State Inc.DIODE GP REV 200V 25A PRESS FIT1N3493Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 35A DO211N3494Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 35A DO21| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที