ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3492R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N3492R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N3492R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 57 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Press Fit | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PRESS FIT | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 100 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N3492R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3492R | 1N3493R | 1N3491 | 1N3491 |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 200 V | 50 V | 50 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 57 A | 1.1 V @ 35 A | 1.7 V @ 57 A | 1.1 V @ 35 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Press Fit | Chassis Mount | Press Fit |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25A | 35A | 25A | 35A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PRESS FIT | DO-208AA | PRESS FIT | DO-208AA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Press Fit | DO-21 | Press Fit | DO-21 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 100 V | 10 µA @ 200 V | 1 mA @ 50 V | 10 µA @ 50 V |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3492R PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 1N3492R - Solid State Inc.
1N3493RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 200V 35A DO211N3491Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 25A PRESS FIT1N3491Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 35A DO211N3492Solid State Inc.DIODE GP 100V 25A PRESS FIT1N3492Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 35A DO211N3493Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 35A DO211N3492RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 100V 35A DO211N3494Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 35A DO211N3493Solid State Inc.DIODE GP 200V 25A PRESS FIT
1N3350RASolid State Inc.DO5 50 WATT ZENER DIODES1N3350RBMicrochip TechnologyDIODE ZENER 200V 50W DO51N3350RSolid State Inc.DO5 50 WATT ZENER DIODES1N3494Solid State Inc.DIODE GP 300V 25A PRESS FIT1N3495Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 35A DO211N3494RSolid State Inc.DIODE GP REV 300V 25A PRESS FIT1N3494RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 300V 35A DO211N3350RBSolid State Inc.DO5 50 WATT ZENER DIODES1N3493RSolid State Inc.DIODE GP REV 200V 25A PRESS FIT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที