ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3493
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N3493 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N3493
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 57 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Press Fit | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PRESS FIT | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N3493
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3493 | 1N3495 | 1N3492R | 1N3494R |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Microchip Technology | Solid State Inc. | Solid State Inc. |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 200 V | 10 µA @ 400 V | 1 mA @ 100 V | 1 mA @ 300 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Press Fit | DO-21 | Press Fit | Press Fit |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Press Fit | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | PRESS FIT | DO-208AA | PRESS FIT | PRESS FIT |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 400 V | 100 V | 300 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.7 V @ 57 A | 1.1 V @ 35 A | 1.7 V @ 57 A | 1.7 V @ 57 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25A | 35A | 25A | 25A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3493 PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 1N3493 - Solid State Inc.
1N3495Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 35A DO21
1N3350RASolid State Inc.DO5 50 WATT ZENER DIODES1N3492RSolid State Inc.DIODE GP REV 100V 25A PRESS FIT1N3494RSolid State Inc.DIODE GP REV 300V 25A PRESS FIT1N3491Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 35A DO211N3494RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 300V 35A DO211N3493RSolid State Inc.DIODE GP REV 200V 25A PRESS FIT1N3350RBMicrochip TechnologyDIODE ZENER 200V 50W DO51N3492Solid State Inc.DIODE GP 100V 25A PRESS FIT1N3493RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 200V 35A DO211N3350RBSolid State Inc.DO5 50 WATT ZENER DIODES1N3491Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 25A PRESS FIT1N3493Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 35A DO211N3494Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 35A DO211N3494Solid State Inc.DIODE GP 300V 25A PRESS FIT1N3492Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 35A DO211N3492RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 100V 35A DO211N3495RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 400V 35A DO21| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที