ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5825
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N5825 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N5825
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 380 mV @ 5 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 mA @ 40 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N5825
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5825 | 1N5824 | 1N5827 | 1N5822US |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Axial | Axial | DO-203AA, DO-4, Stud | SQ-MELF, B |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 mA @ 40 V | 10 mA @ 30 V | 2 mA @ 30 V | 100 µA @ 40 V |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 380 mV @ 5 A | 370 mV @ 5 A | 770 mV @ 40 A | 500 mV @ 3 A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | Axial | DO-4 (DO-203AA) | B, SQ-MELF |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Stud Mount | Surface Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | 5A | 15A | 3A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | 30 V | 30 V | 40 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5825 PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 1N5825 - Solid State Inc.
1N5825 SS54JINGDAO1N5824Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 5A AXIAL1N5827Microchip Technology5A SCHOTTKY RECTIFIER1N5822USMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF
1N5825RLGAMI Semiconductor/onsemi1N5826Microchip Technology5A SCHOTTKY RECTIFIER1N5822_AY_10001-PECPANJIT
1N5827GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 15A DO51N5824Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 15A AXIAL
1N5828Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 15A DO41N5827Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 15A DO41N5822RLonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL
1N5825Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 5A TOP HAT1N5824T3GAMI Semiconductor/onsemi1N5822_AY_10001PANJIT1N5826Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 15A DO41N5826GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 15A DO51N5822RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที