ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5827
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N5827 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N5827
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 470 mV @ 15 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 mA @ 30 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N5827
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5827 | 1N5826 | 1N5825 | 1N5829 |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 mA @ 30 V | 10 mA @ 20 V | 10 mA @ 40 V | 3 mA @ 20 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | DO-5 | TOP HAT | DO-203AA (DO-4) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | Axial | DO-203AA, DO-4, Stud |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 470 mV @ 15 A | 440 mV @ 15 A | 380 mV @ 5 A | 440 mV @ 25 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 150°C | - | -65°C ~ 125°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Through Hole | Stud Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | 15A | 5A | 25A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | 1650pF @ 5V, 1MHz |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | 20 V | 40 V | 20 V |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5827 PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 1N5827 - Solid State Inc.
1N5825RLGAMI Semiconductor/onsemi1N5826GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 15A DO51N5825Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 5A TOP HAT1N5829Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 25A DO203AA1N5827GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 15A DO51N5829GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 25A DO41N5829Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 25A DO41N5826Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 15A DO41N5824T3GAMI Semiconductor/onsemi1N5830Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 25A DO203AA1N5827Microchip Technology5A SCHOTTKY RECTIFIER
1N5825 SS54JINGDAO1N5824RLGAMI Semiconductor/onsemi1N5828GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 15A DO51N5828Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 15A DO41N5826Microchip Technology5A SCHOTTKY RECTIFIER1N5828Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 15A DO203AA1N5825Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 15A AXIAL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที