ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5826
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N5826 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N5826
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 670 mV @ 40 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5826 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N5826
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5826 | 1N5827 | 1N5829 | 1N5825 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 15A | 15A | 25A | 5A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 670 mV @ 40 A | 770 mV @ 40 A | 580 mV @ 25 A | 380 mV @ 5 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | Axial |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 | TOP HAT |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | 30 V | 20 V | 40 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5826 | 1N5827 | 1N5829 | 1N5825 |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 2 mA @ 20 V | 2 mA @ 30 V | 2 mA @ 20 V | 10 mA @ 40 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5826 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N5826 - Microchip Technology
1N5827Microchip Technology5A SCHOTTKY RECTIFIER1N5829GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 25A DO4
1N5824T3GAMI Semiconductor/onsemi1N5825Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 5A TOP HAT1N5825RLGAMI Semiconductor/onsemi1N5825Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 15A AXIAL1N5822_AY_10001-PECPANJIT1N5827GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 15A DO51N5828Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 15A DO203AA1N5829Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 25A DO203AA1N5825 SS54JINGDAO1N5828GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 15A DO51N5826GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 15A DO5
1N5828Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 15A DO41N5824Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 5A AXIAL1N5827Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 15A DO41N5826Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 15A DO41N5824Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 15A AXIAL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที