ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3671A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N3671A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N3671A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 12 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3671 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N3671A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3671A | 1N3665R | 1N3671A | 1N3671 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | 35A | 12A | 22A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-208AA | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 12 A | 1.1 V @ 35 A | 1.35 V @ 38 A | 1.2 V @ 30 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Box |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | DO-21 | DO-203AA (DO-4) | DO-4 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3671 | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 600 V | 5 µA @ 800 V | 10 µA @ 800 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | 600 V | 800 V | 800 V |
| ชุด | - | - | Military, MIL-PRF-19500/260 | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Press Fit | Stud Mount | Stud Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3671A PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N3671A - GeneSiC Semiconductor
1N3665RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 600V 35A DO211N3671AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA1N3672BIRIGBT Module1N3671Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 22A DO41N3672Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3670AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 700V 22A DO41N3735Microchip TechnologyDIODE GP 100V 275A DO205AB DO91N3672AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 900V 12A DO203AA1N3671Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3672ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 900V 22A DO41N3671ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 22A DO41N3670Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 700V 22A DO41N3670Solid State Inc.DIODE GEN PURP 700V 22A DO41N3670RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 700V 22A DO41N3670ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 700V 22A DO41N3672Solid State Inc.DIODE GEN PURP 900V 22A DO41N3671RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 22A DO41N3672RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 900V 22A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที