ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3672
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N3672 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N3672
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 30 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 900 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 900 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 22A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3672 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N3672
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3672 | 1N3735R | 1N3735 | 1N3735 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C | -65°C ~ 190°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 900 V | 75 µA @ 100 V | 75 µA @ 100 V | 75 µA @ 100 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3672 | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 900 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 (DO-203AA) | DO-9 | DO-9 | DO-205AB (DO-9) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Box | Bulk |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 22A | 275A | 275A | 275A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 30 A | 1.3 V @ 300 A | 1.3 V @ 300 A | 1.3 V @ 300 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud | DO-205AB, DO-9, Stud |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3672 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N3672 - Microchip Technology
1N3735RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 100V 275A DO91N3735Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 275A DO91N3672BIRIGBT Module1N3735Microchip TechnologyDIODE GP 100V 275A DO205AB DO9
1N3671Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 22A DO41N3671RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 22A DO41N3671AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA1N3671BIRIGBT Module1N3672AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 900V 12A DO203AA1N3672ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 900V 22A DO41N3670RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 700V 22A DO41N3672RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 900V 22A DO41N3672Solid State Inc.DIODE GEN PURP 900V 22A DO41N3670BIRIGBT Module
1N3671AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 800V 12A DO41N3671ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 22A DO4
1N3735Powerex Inc.RECTIFIER STUD MOUNT DO-91N3671Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที