ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3670R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N3670R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N3670R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 30 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 700 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 700 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 22A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N3670R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3670R | 1N3671 | 1N3670A | 1N3664R |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Press Fit |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A | 1.1 V @ 35 A |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Box | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 22A | 22A | 22A | 35A |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | DO-4 | DO-4 (DO-203AA) | DO-21 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-208AA |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 700 V | 10 µA @ 800 V | 10 µA @ 700 V | 10 µA @ 500 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 175°C |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 700 V | 800 V | 700 V | 500 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3670R PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 1N3670R - Solid State Inc.
1N3671Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 22A DO41N3670AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 700V 22A DO41N3664RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 500V 35A DO211N3665Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 35A DO211N3664Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 500V 35A DO211N3672Solid State Inc.DIODE GEN PURP 900V 22A DO41N3672Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3671Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N3671BIRIGBT Module1N3671RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 22A DO41N3670Solid State Inc.DIODE GEN PURP 700V 22A DO41N3671AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA1N3670ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 700V 22A DO4
1N3671AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 800V 12A DO41N3670BIRIGBT Module1N3670Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 700V 22A DO41N3665RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 600V 35A DO211N3671ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 22A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที