ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3671A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N3671A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N3671A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.35 V @ 38 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-203AA (DO-4) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/260 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 800 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N3671A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3671A | 1N3670 | 1N3671A | 1N3670R |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. | Solid State Inc. |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | 700 V | 800 V | 700 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/260 | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.35 V @ 38 A | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | 22A | 22A | 22A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 800 V | 10 µA @ 700 V | 10 µA @ 800 V | 10 µA @ 700 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Box | Box |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-203AA (DO-4) | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 | DO-4 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3671A PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N3671A - Microchip Technology
1N3670Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 700V 22A DO41N3671ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 22A DO41N3670RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 700V 22A DO41N3665RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 600V 35A DO211N3672AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 900V 12A DO203AA1N3672Solid State Inc.DIODE GEN PURP 900V 22A DO41N3671Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3670Solid State Inc.DIODE GEN PURP 700V 22A DO41N3670ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 700V 22A DO41N3672ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 900V 22A DO41N3670AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 700V 22A DO4
1N3671AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 800V 12A DO41N3672Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3672BIRIGBT Module1N3671RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 22A DO41N3671Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 22A DO41N3671BIRIGBT Module1N3670BIRIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที