ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR3530
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR3530 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR3530
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 680 mV @ 35 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1.5 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR3530
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR3530 | MBR350 | MBR3545 | MBR340RL |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | onsemi | GeneSiC Semiconductor | onsemi |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | Axial | DO-4 | Axial |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | 3A | 35A | 3A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Through Hole | Chassis, Stud Mount | Through Hole |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | 50 V | 45 V | 40 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1.5 mA @ 20 V | 600 µA @ 50 V | 1.5 mA @ 20 V | 600 µA @ 40 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-201AA, DO-27, Axial |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 680 mV @ 35 A | 740 mV @ 3 A | 680 mV @ 35 A | 600 mV @ 3 A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR3530 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR3530 - GeneSiC Semiconductor
MBR350onsemiDIODE SCHOTTKY 50V 3A AXIALMBR340T3GAMI Semiconductor/onsemiMBR3545GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 45V 35A DO4MBR340RLonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIALMBR360Diotec SemiconductorDIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201MBR3520GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 35A DO4MBR3535GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 35A DO4MBR3508WMBR360GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR350RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 50V 3A AXIALMBR3540GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 35A DO4MBR360onsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR340GonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIALMBR350LAMI Semiconductor/onsemiMBR3H150SSPANJITMBR360RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR340RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIALMBR360RLonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIAL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที