ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR3545
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR3545 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR3545
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 680 mV @ 35 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 45 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1.5 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR3545
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR3545 | MBR3540 | MBR350 | MBR360RLG |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | onsemi | onsemi |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 680 mV @ 35 A | 680 mV @ 35 A | 740 mV @ 3 A | 740 mV @ 3 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | 35A | 3A | 3A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 45 V | 40 V | 50 V | 60 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1.5 mA @ 20 V | 1.5 mA @ 20 V | 600 µA @ 50 V | 600 µA @ 60 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Through Hole | Through Hole |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | DO-4 | Axial | Axial |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR3545 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR3545 - GeneSiC Semiconductor
MBR3540GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 35A DO4MBR3525MOTOROLAIGBT ModuleMBR350LAMI Semiconductor/onsemiMBR3508WMBR350onsemiDIODE SCHOTTKY 50V 3A AXIALMBR400150CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWERMBR360RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR360GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR350RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 50V 3A AXIALMBR3535GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 35A DO4MBR360Diotec SemiconductorDIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201MBR3530GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 35A DO4MBR360onsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR360RLonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR3520GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 35A DO4MBR3H150SSPANJITMBR340T3GAMI Semiconductor/onsemiMBR400100CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 200A 2TOWER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที