ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR360RL
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MBR360RL คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MBR360RL
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 740 mV @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 600 µA @ 60 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR360 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MBR360RL
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR360RL | MBR3540 | MBR3535 | MBR3545 |
| ผู้ผลิต | onsemi | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR360 | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | 40 V | 35 V | 45 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 600 µA @ 60 V | 1.5 mA @ 20 V | 1.5 mA @ 20 V | 1.5 mA @ 20 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 740 mV @ 3 A | 680 mV @ 35 A | 680 mV @ 35 A | 680 mV @ 35 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 35A | 35A | 35A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | DO-4 | DO-4 | DO-4 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR360RL PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MBR360RL - onsemi
MBR3540GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 35A DO4MBR3535GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 35A DO4MBR400100NOIGBT ModuleMBR3545GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 45V 35A DO4MBR400100CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR40030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 200A 2TOWERMBR3530GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 35A DO4
MBR360GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR400100CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 200A 2TOWERMBR3H150SSPANJITMBR360onsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR400200CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWERMBR3525MOTOROLAIGBT ModuleMBR400150CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWERMBR3520GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 35A DO4MBR360Diotec SemiconductorDIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201MBR360RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR40020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 200A 2TOWER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? [AddToCartTip]未找到翻译