ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR3540
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR3540 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR3540
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 680 mV @ 35 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1.5 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR3540
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR3540 | MBR3535 | MBR360G | MBR3520 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | onsemi | GeneSiC Semiconductor |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 680 mV @ 35 A | 680 mV @ 35 A | 740 mV @ 3 A | 680 mV @ 35 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | 35A | 3A | 35A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | DO-4 | Axial | DO-4 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 40 V | 35 V | 60 V | 20 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-203AA, DO-4, Stud |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Through Hole | Chassis, Stud Mount |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1.5 mA @ 20 V | 1.5 mA @ 20 V | 600 µA @ 60 V | 1.5 mA @ 20 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR3540 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR3540 - GeneSiC Semiconductor
MBR350LAMI Semiconductor/onsemiMBR3508WMBR400100CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 200A 2TOWERMBR3535GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 35A DO4MBR360GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR3520GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 35A DO4MBR3525MOTOROLAIGBT ModuleMBR340T3GAMI Semiconductor/onsemiMBR360Diotec SemiconductorDIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201MBR350RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 50V 3A AXIALMBR360RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR350onsemiDIODE SCHOTTKY 50V 3A AXIALMBR3530GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 35A DO4MBR360RLonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR360onsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR3H150SSPANJITMBR340RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIALMBR3545GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 45V 35A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที