ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR360
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ onsemi - MBR360 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ onsemi - MBR360
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | onsemi | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 740 mV @ 3 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 600 µA @ 60 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR360 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | RoHS ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ onsemi MBR360
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR360 | MBR3530 | MBR360RL | MBR360RLG |
| ผู้ผลิต | onsemi | GeneSiC Semiconductor | onsemi | onsemi |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 600 µA @ 60 V | 1.5 mA @ 20 V | 600 µA @ 60 V | 600 µA @ 60 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | 30 V | 60 V | 60 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 740 mV @ 3 A | 680 mV @ 35 A | 740 mV @ 3 A | 740 mV @ 3 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Axial | DO-4 | Axial | Axial |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 35A | 3A | 3A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Chassis, Stud Mount | Through Hole | Through Hole |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR360 | - | MBR360 | MBR360 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR360 PDF และเอกสาร onsemi สำหรับ MBR360 - onsemi
MBR3530GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 35A DO4MBR360RLonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR360RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR3540GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 35A DO4MBR400100CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 200A 2TOWERMBR3525MOTOROLAIGBT ModuleMBR400100CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR360GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR3545GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 45V 35A DO4MBR350LAMI Semiconductor/onsemiMBR3535GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 35A DO4MBR3H150SSPANJITMBR400150CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWERMBR3520GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 35A DO4MBR360Diotec SemiconductorDIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201MBR400200CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWERMBR350RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 50V 3A AXIALMBR400100NOIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที