ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR40035CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR40035CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR40035CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 700 mV @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 35 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR40035 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR40035CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR40035CT | MBR40045CT | MBR40030CT | MBR40080CT |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ชุด | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR40035 | MBR40045 | MBR40030 | MBR40080 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 700 mV @ 200 A | 650 mV @ 200 A | 650 mV @ 200 A | 840 mV @ 200 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A | 200A | 200A | 200A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 35 V | 5 mA @ 20 V | 5 mA @ 20 V | 5 mA @ 20 V |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | 45 V | 30 V | 80 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR40035CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR40035CT - GeneSiC Semiconductor
MBR40045CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 45V 200A 2TOWERMBR40030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 200A 2TOWERMBR40080CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 200A 2TOWERMBR400100CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
MBR40100CTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR400150CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWERMBR40100CTYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single TO-MBR40040CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 40V 200A 2TOWERMBR40060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 60V 200A 2TOWERMBR400100CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR40090CTIXFNIGBT ModuleMBR400200CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWERMBR40075CTIGBTIGBT ModuleMBR40100CLUTCMBR40020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 200A 2TOWER
MBR360RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR400100NOIGBT ModuleMBR3H150SSPANJIT| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที