ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR400100CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR400100CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR400100CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 840 mV @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR400100 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR400100CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR400100CT | MBR400200CT | MBR40035CT | MBR40045CT |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A | 200A | 200A | 200A |
| ชุด | - | - | - | - |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR400100 | MBR400200 | MBR40035 | MBR40045 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 200 V | 35 V | 45 V |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 840 mV @ 200 A | 920 mV @ 200 A | 700 mV @ 200 A | 650 mV @ 200 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 20 V | 3 mA @ 200 V | 1 mA @ 35 V | 5 mA @ 20 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR400100CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR400100CT - GeneSiC Semiconductor
MBR400100NOIGBT ModuleMBR3H150SSPANJIT
MBR360RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR360RLonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR400100CTLMOTOROLAIGBT ModuleMBR400200CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWERMBR40035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 200A 2TOWERMBR40045CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 45V 200A 2TOWERMBR3540GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 35A DO4MBR360onsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR40030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 200A 2TOWERMBR40040CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 40V 200A 2TOWERMBR40060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 60V 200A 2TOWERMBR360Diotec SemiconductorDIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201MBR40020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 200A 2TOWERMBR360GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR3545GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 45V 35A DO4MBR400150CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที