ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR400200CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR400200CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR400200CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 920 mV @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR400200 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR400200CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR400200CT | MBR40045CT | MBR40080CT | MBR400100CT |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A | 200A | 200A | 200A |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 45 V | 80 V | 100 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 920 mV @ 200 A | 650 mV @ 200 A | 840 mV @ 200 A | 840 mV @ 200 A |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR400200 | MBR40045 | MBR40080 | MBR400100 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 3 mA @ 200 V | 5 mA @ 20 V | 5 mA @ 20 V | 5 mA @ 20 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR400200CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR400200CT - GeneSiC Semiconductor
MBR40045CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 45V 200A 2TOWERMBR40100CLUTC
MBR360GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR40075CTIGBTIGBT ModuleMBR360RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR360Diotec SemiconductorDIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201MBR40080CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 200A 2TOWERMBR360RLonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR400100CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 200A 2TOWERMBR40035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 200A 2TOWERMBR40090CTIXFNIGBT ModuleMBR400150CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWERMBR40020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 200A 2TOWERMBR40040CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 40V 200A 2TOWERMBR3H150SSPANJITMBR40060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 60V 200A 2TOWERMBR360onsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR40030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 200A 2TOWER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที