ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR40030CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR40030CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR40030CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 650 mV @ 200 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR40030 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR40030CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR40030CT | MBR400200CT | MBR40100CT | MBR40100CT |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | SMC Diode Solutions | Yangjie Technology |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 20 V | 3 mA @ 200 V | 1 mA @ 100 V | 100 µA @ 100 V |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tube | Tape & Reel (TR) |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole | Through Hole |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | Twin Tower | TO-220AB | TO-220AB |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | Twin Tower | TO-220-3 | TO-220-3 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | 200 V | 100 V | 100 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR40030 | MBR400200 | MBR40100 | MBR40100 |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 200A | 200A | - | 40A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 650 mV @ 200 A | 920 mV @ 200 A | 880 mV @ 20 A | 850 mV @ 20 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR40030CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR40030CT - GeneSiC Semiconductor
MBR360RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR400200CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWERMBR40100CTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR360GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR40100CTYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single TO-MBR40100CLUTCMBR40080CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 200A 2TOWERMBR400150CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 150V 200A 2 TOWERMBR360RLonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A AXIALMBR40090CTIXFNIGBT ModuleMBR40060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 60V 200A 2TOWERMBR40035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 200A 2TOWERMBR3H150SSPANJITMBR400100CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 200A 2TOWERMBR40020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 200A 2TOWERMBR40040CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 40V 200A 2TOWERMBR40045CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 45V 200A 2TOWERMBR40075CTIGBTIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที