ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR8030
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR8030 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR8030
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 80 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 30 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 80A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | เป็นไปตาม RoHS |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR8030
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR8030 | MBR760 | MBR80100 | MBR8035 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | SMC Diode Solutions | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 80 A | 750 mV @ 7.5 A | 840 mV @ 80 A | 750 mV @ 80 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 30 V | 500 µA @ 60 V | 1 mA @ 100 V | 1 mA @ 35 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | 60 V | 100 V | 35 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | TO-220-2 | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 80A | - | 80A | 80A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | TO-220AC | DO-5 | DO-5 |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Through Hole | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR8030 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR8030 - GeneSiC Semiconductor
MBR760SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 60V TO220ACMBR80100GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 100V 80A DO5
MBR835BAMI Semiconductor/onsemiMBR8035GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 80A DO5
MBR760Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220ACMBR840RLonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 8A AXIALMBR760onsemiDIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220-2LMBR7545GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 45V 75A DO5MBR8025MOTOROLAIGBT ModuleMBR845onsemiDIODE SCHOTTKY 45V 8A AXIALMBR8040GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 80A DO5MBR8045GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 45V 80A DO5
MBR7545Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 45V 75A DO5
MBR760-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220AC
MBR8100LITEONMBR8060GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 60V 80A DO5MBR845RLonsemiDIODE SCHOTTKY 45V 8A AXIALMBR8020GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 80A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที