ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR8035
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR8035 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR8035
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 80 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 35 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 80A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR8035
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR8035 | MBR80100 | MBR760 | MBR845 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | onsemi | onsemi |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | TO-220-2 | DO-201AA, DO-27, Axial |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Through Hole | Through Hole |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 80A | 80A | 7.5A | 8A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-5 | TO-220-2L | Axial |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | 100 V | 60 V | 45 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tube | Bulk |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 35 V | 1 mA @ 100 V | 500 µA @ 60 V | 1 mA @ 45 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 80 A | 840 mV @ 80 A | 750 mV @ 7.5 A | 550 mV @ 8 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR8035 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR8035 - GeneSiC Semiconductor
MBR80100GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 100V 80A DO5MBR760onsemiDIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220-2LMBR845onsemiDIODE SCHOTTKY 45V 8A AXIALMBR8040GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 80A DO5MBR860FDEC
MBR7545Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 45V 75A DO5
MBR760SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 60V TO220ACMBR840RLonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 8A AXIALMBR845RLonsemiDIODE SCHOTTKY 45V 8A AXIAL
MBR8100LITEON
MBR760Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220ACMBR8030GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 80A DO5MBR8020GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 80A DO5MBR8045GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 45V 80A DO5MBR860MFST1GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 8A 5DFN
MBR760-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220ACMBR7545GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 45V 75A DO5MBR8060GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 60V 80A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที