ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR8035
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR8035 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR8035
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 80 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 35 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 80A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR8035
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR8035 | MBR8040 | MBR8020 | MBR8045 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 80A | 80A | 80A | 80A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-5 | DO-5 | DO-5 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 35 V | 40 V | 20 V | 45 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 35 V | 1 mA @ 35 V | 1 mA @ 20 V | 1 mA @ 45 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 80 A | 750 mV @ 80 A | 750 mV @ 80 A | 650 mV @ 80 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR8035 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR8035 - GeneSiC Semiconductor
MBR8040GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 80A DO5MBR8020GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 80A DO5MBR8045GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 45V 80A DO5
MBR8100LITEON
MBR760-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220AC
MBR845RLonsemiDIODE SCHOTTKY 45V 8A AXIALMBR835BAMI Semiconductor/onsemiMBR860FDECMBR8025MOTOROLAIGBT ModuleMBR840RLonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 8A AXIALMBR80100GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 100V 80A DO5MBR8060GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 60V 80A DO5
MBR760SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 60V TO220ACMBR845onsemiDIODE SCHOTTKY 45V 8A AXIAL
MBR760Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220ACMBR760onsemiDIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO220-2LMBR8030GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 80A DO5
MBR7545Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 45V 75A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที