ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR760-E3/45
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MBR760-E3/45 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division - MBR760-E3/45
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 7.5 A | |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | |
เทคโนโลยี | Schottky | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
ชุด | - | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 µA @ 60 V | |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 7.5A | |
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR760 |
คุณลักษณะ | ลักษณะ |
---|---|
สถานภาพ RoHS | |
ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
เข้าถึงสถานะ | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR760-E3/45
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR760-E3/45 | MBR8060 | MBR8045 | MBR7545 |
ผู้ผลิต | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. |
ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 7.5A | 80A | 80A | 75A |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount |
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 7.5 A | 750 mV @ 80 A | 650 mV @ 80 A | - |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Bulk | Bulk |
ชุด | - | - | - | - |
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - |
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 500 µA @ 60 V | 5 mA @ 20 V | 1 mA @ 45 V | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AC | DO-5 | DO-5 | DO-5 |
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 60 V | 60 V | 45 V | 45 V |
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR760 | - | - | - |
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR760-E3/45 PDF และเอกสาร Vishay General Semiconductor - Diodes Division สำหรับ MBR760-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที