ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3493R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N3493R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N3493R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 35 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-21 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-208AA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Press Fit | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N3493R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3493R | 1N3492 | 1N3495 | 1N3495R |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 100 V | 400 V | 400 V |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | 10 µA @ 100 V | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 400 V |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 35 A | 1.1 V @ 35 A | 1.1 V @ 35 A | 1.1 V @ 35 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-21 | DO-21 | DO-21 | DO-21 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 35A | 35A | 35A | 35A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Press Fit | Press Fit | Press Fit | Press Fit |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-208AA | DO-208AA | DO-208AA | DO-208AA |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3493R PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N3493R - Microchip Technology
1N3492Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 35A DO211N3495Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 35A DO211N3495RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 400V 35A DO21
1N3350RBSolid State Inc.DO5 50 WATT ZENER DIODES1N3571MOTOROLAIGBT Module
1N3493Solid State Inc.DIODE GP 200V 25A PRESS FIT1N3492RSolid State Inc.DIODE GP REV 100V 25A PRESS FIT1N3494RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 300V 35A DO211N3493Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 35A DO211N3491Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 35A DO211N3572MOTOROLAIGBT Module1N3492RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 100V 35A DO211N3494Solid State Inc.DIODE GP 300V 25A PRESS FIT1N3493RSolid State Inc.DIODE GP REV 200V 25A PRESS FIT1N3494RSolid State Inc.DIODE GP REV 300V 25A PRESS FIT1N3492Solid State Inc.DIODE GP 100V 25A PRESS FIT1N3491Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 25A PRESS FIT1N3494Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 300V 35A DO21| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที