ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3649R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N3649R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N3649R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 800 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3.3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N3649R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3649R | 1N3659R | 1N3623R | 1N3624R |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-208AA | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3.3A | 35A | 16A | 25A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | DO-21 | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 (DO-203AA) |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Press Fit | Stud Mount | Stud Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | 50 V | 800 V | 1000 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 35 A | 1.2 V @ 50 A | 1.1 V @ 30 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Bulk | Bulk | Bulk |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 800 V | 10 µA @ 50 V | 750 µA @ 800 V | 10 µA @ 1000 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3649R PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 1N3649R - Solid State Inc.
1N3659RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 50V 35A DO211N3623RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 16A DO41N3624RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 25A DO41N3650RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP DO203AA1N3660RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 100V 35A DO211N3660Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 35A DO211N3650Microchip TechnologyDIODE GEN PURP DO203AA1N3649Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 3.3A DO41N3624Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 16A DO41N3623Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 16A DO41N3649Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 800V DO203AA1N3650Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 3.3A DO41N3624Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 16A DO41N3650RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 1KV 3.3A DO41N3649RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V DO203AA1N3624RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 16A DO41N3659Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 35A DO211N3623RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 16A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที