ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3649R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N3649R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N3649R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.2 V @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-203AA (DO-4) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/260 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 800 V | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N3649R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3649R | 1N3661 | 1N3624 | 1N3624R |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| ชุด | Military, MIL-PRF-19500/260 | - | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.2 V @ 10 A | 1.1 V @ 35 A | 1.2 V @ 50 A | 1.1 V @ 30 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-208AA | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 800 V | 10 µA @ 200 V | 600 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 800 V | 200 V | 1000 V | 1000 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Press Fit | Stud Mount | Stud Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-203AA (DO-4) | DO-21 | DO-4 | DO-4 (DO-203AA) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Box | Bulk |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3649R PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N3649R - Microchip Technology
1N3661Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 35A DO211N3624Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 16A DO41N3624RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 25A DO41N3650Microchip TechnologyDIODE GEN PURP DO203AA1N3624Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 16A DO41N3623RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 16A DO41N3649Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 800V DO203AA1N3624RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 16A DO41N3650RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP DO203AA1N3650RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 1KV 3.3A DO41N3649Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 3.3A DO41N3650Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 3.3A DO41N3659Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 35A DO211N3660RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 100V 35A DO211N3659RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 50V 35A DO211N3649RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 3.3A DO41N3660Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 35A DO211N3623RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 16A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที