ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5806
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N5806 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N5806
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 875 mV @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | A, Axial | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | A, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 150 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N5806
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5806 | 1N5811US | 1N5806E3 | 1N5812 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz | 60pF @ 10V, 1MHz | 25pF @ 10V, 1MHz | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Stud Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | A, Axial | B, SQ-MELF | A, Axial | DO-4 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 3A | 1A | 20A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | 150 V | 150 V | 50 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns | 30 ns | 25 ns | 35 ns |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | A, Axial | SQ-MELF, B | Axial | DO-203AA, DO-4, Stud |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 875 mV @ 1 A | 875 mV @ 4 A | 875 mV @ 1 A | 900 mV @ 10 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 150 V | 5 µA @ 50 V | 1 µA @ 150 V | 10 µA @ 50 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Box |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5806 PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N5806 - Microchip Technology
1N5811USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF
1N5767Broadcom LimitedRF DIODE PIN 100V 250MW1N5806E3Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL1N5812Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 20A DO4
1N5711UR-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO213AA
1N5711W-7-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 70V 333MW SOD123
1N5807USJTX/TRMicrosemi1N5812Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
1N5711WS-7-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 70V 150MW SOD3231N5712Broadcom LimitedRF DIODE SCHOTTKY 20V 250MW
1N5806Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO204AP1N5812RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA1N5811Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL1N5711-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35
1N5811Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 3A B AXIAL
1N5806USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A D-5A1N5712Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO351N5767Microchip TechnologySI PIN HEMETIC GLASS| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที