ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5806
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N5806 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N5806
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 875 mV @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-204AP | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AP, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 150 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2.5A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N5806
| คุณสมบัติสินค้า | |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5806 | 1N5811 | 1N5806 | 1N5806US |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AP, Axial | Axial | A, Axial | SQ-MELF, A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 25pF @ 10V, 1MHz | 25pF @ 10V, 1MHz |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 25 ns | 30 ns | 25 ns | 25 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 875 mV @ 1 A | 875 mV @ 4 A | 875 mV @ 1 A | 875 mV @ 1 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2.5A | 6A | 1A | 1A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Box | Bulk | Bulk |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-204AP | Axial | A, Axial | D-5A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 µA @ 150 V | 5 µA @ 150 V | 1 µA @ 150 V | 1 µA @ 150 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | 150 V | 150 V | 150 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5806 PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 1N5806 - Solid State Inc.
1N5711W-7-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 70V 333MW SOD1231N5811Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
1N5767Broadcom LimitedRF DIODE PIN 100V 250MW1N5806Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL1N5806USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A D-5A
1N5811USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF
1N5711WS-7-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 70V 150MW SOD3231N5812Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
1N5811Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 3A B AXIAL1N5712Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35
1N5813Solid State Inc.DIODE GEN PURP 75V 20A DO41N5812RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA1N5806E3Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL1N5812Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 20A DO41N5767Microchip TechnologySI PIN HEMETIC GLASS1N5712Broadcom LimitedRF DIODE SCHOTTKY 20V 250MW
1N5807USJTX/TRMicrosemi
1N5711UR-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO213AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที