ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5811US
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Microchip Technology - 1N5811US คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Microchip Technology - 1N5811US
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 875 mV @ 4 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | B, SQ-MELF | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SQ-MELF, B | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5811 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Microchip Technology 1N5811US
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5811US | 1N5806US | 1N5806 | 1N5806 |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | SQ-MELF, B | SQ-MELF, A | A, Axial | DO-204AP, Axial |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5811 | 1N5806 | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 3A | 1A | 1A | 2.5A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 ns | 25 ns | 25 ns | 25 ns |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 50 V | 1 µA @ 150 V | 1 µA @ 150 V | 1 µA @ 150 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 875 mV @ 4 A | 875 mV @ 1 A | 875 mV @ 1 A | 875 mV @ 1 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Box |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 150 V | 150 V | 150 V | 150 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz | 25pF @ 10V, 1MHz | 25pF @ 10V, 1MHz | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | B, SQ-MELF | D-5A | A, Axial | DO-204AP |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5811US PDF และเอกสาร Microchip Technology สำหรับ 1N5811US - Microchip Technology
1N5806USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A D-5A
1N5767Broadcom LimitedRF DIODE PIN 100V 250MW1N5806Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL1N5806Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO204AP
1N5812RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
1N5812Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 20A DO41N5812Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA1N5806E3Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL1N5811Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL1N5813Solid State Inc.DIODE GEN PURP 75V 20A DO4
1N5811Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 3A B AXIAL1N5813Microchip TechnologyRECTIFIER DIODE1N5814RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 20A DO41N5814Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA1N5814RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA1N5813RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 20A DO203AA1N5767Microchip TechnologySI PIN HEMETIC GLASS1N5814Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 20A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที