ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N5812
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Solid State Inc. - 1N5812 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Solid State Inc. - 1N5812
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 900 mV @ 10 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Solid State Inc. 1N5812
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N5812 | 1N5813R | 1N5814R | 1N5806 |
| ผู้ผลิต | Solid State Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Box | Bulk | Bulk | Box |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - | - | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-204AP, Axial |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 900 mV @ 10 A | 950 mV @ 20 A | 950 mV @ 20 A | 875 mV @ 1 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 75 V | 10 µA @ 100 V | 1 µA @ 150 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | 75 V | 100 V | 150 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 300pF @ 10V, 1MHz | 300pF @ 10V, 1MHz | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | 35 ns | 35 ns | 25 ns |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | DO-203AA (DO-4) | DO-203AA (DO-4) | DO-204AP |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20A | 20A | 20A | 2.5A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N5812 PDF และเอกสาร Solid State Inc. สำหรับ 1N5812 - Solid State Inc.
1N5813RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 20A DO203AA1N5814RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA1N5806Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO204AP1N5814Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
1N5806E3Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL1N5812RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA1N5811Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL1N5811USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF1N5806Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL
1N5806USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A D-5A
1N5811Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 3A B AXIAL1N5813Microchip TechnologyRECTIFIER DIODE1N5812Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA1N5813Solid State Inc.DIODE GEN PURP 75V 20A DO4
1N5807USJTX/TRMicrosemi1N5767Microchip TechnologySI PIN HEMETIC GLASS1N5814RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 20A DO41N5814Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 20A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที