ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFN5BM6STL
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RFN5BM6STL คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RFN5BM6STL
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 5 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 5A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFN5BM6 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RFN5BM6STL
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFN5BM6STL | RFNL10TJ6SGC9 | RFN2L6STE25 | RFN5B6STL |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ชุด | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-220-2 | DO-214AC, SMA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 1 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 50 ns | 150 ns | 35 ns | 50 ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252 | TO-220ACFP | PMDS | CPD |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFN5BM6 | RFNL10 | RFN2L6 | RFN5B |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.55 V @ 5 A | 1.3 V @ 10 A | 1.55 V @ 1.5 A | 1.55 V @ 5 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 5A | 10A | 1.5A | 5A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RFN5BM6STL PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ RFN5BM6STL - Rohm Semiconductor
RFNL10TJ6SGC9Rohm SemiconductorDIODE GP 600V 10A TO220ACFPRFN2L6STE25Rohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDSRFNL10BM6STLLAPIS TechnologyRFN5B6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 5A CPDRFNL10TJ6SLAPIS TechnologyRFN30TS6DGC11Rohm SemiconductorDIODE ARRAY GP 600V 15A TO247
RFN2LAM6STFTRRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTMRFN30TS6SGLAPIS TechnologyRFN5BM3STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 350V 5A TO252
RFN5B2STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 5A CPDRFNL15TJ6SLAPIS TechnologyRFN3BGE6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 3A TO252RFN3BM2STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 3A TO252RFN3BM6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 3A TO252RFNL5BGE6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 5A TO252RFNL15TJ6SGC9Rohm SemiconductorDIODE GP 600V 15A TO220ACFPRFN5BM3S FHHTLLAPIS Technology
RFNTF1608060BM1TDBWalsin Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที