ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RFN5BM3STL
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Rohm Semiconductor - RFN5BM3STL คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Rohm Semiconductor - RFN5BM3STL
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | LAPIS Technology | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 5 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 350 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 350 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 5A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFN5B |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Rohm Semiconductor RFN5BM3STL
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RFN5BM3STL | RFNL5BGE6STL | RFNL10TJ6SGC9 | RFNL15TJ6SGC9 |
| ผู้ผลิต | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| ชุด | - | - | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 ns | 60 ns | 150 ns | 160 ns |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 5A | 5A | 10A | 15A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-220-2 | TO-220-2 Full Pack |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 5 A | 1.3 V @ 5 A | 1.3 V @ 10 A | 1.3 V @ 15 A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-252 | TO-252 | TO-220ACFP | TO-220ACFP |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 350 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C (Max) | 150°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 350 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | RFN5B | RFNL5 | RFNL10 | RFNL15 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล RFN5BM3STL PDF และเอกสาร Rohm Semiconductor สำหรับ RFN5BM3STL - Rohm Semiconductor
RFNL5BGE6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 5A TO252
RFNTF1608060BM1TDBWalsin TechnologyRFN30TS6SGLAPIS TechnologyRFNL10TJ6SGC9Rohm SemiconductorDIODE GP 600V 10A TO220ACFPRFN5B3SLAPIS TechnologyRFNL15TJ6SGC9Rohm SemiconductorDIODE GP 600V 15A TO220ACFPRFNL10TJ6SLAPIS TechnologyRFN3BM2STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 3A TO252RFN3BGE6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 3A TO252RFN30TS6DGC11Rohm SemiconductorDIODE ARRAY GP 600V 15A TO247RFN5B2STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 5A CPDRFN5BM3S FHHTLLAPIS TechnologyRFNL15TJ6SLAPIS TechnologyRFN5B6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 5A CPDRFN5BM6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 5A TO252
RFND4-31GFMITELRFN3BM6STLRohm SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 3A TO252RFNL10BM6STLLAPIS Technology| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที